The semiconductor/solution interface. Case of the semiconductors with a high density of ionizable impurities. Application to lithiated nickel oxide

L'interface semi-conducteur/solution. Cas des semi-conducteurs à densité d'impuretés ionisables élevée. Application à l'oxyde de nickel lithiné Li_xNi_1-xO

Jean-Pierre Bigot (1, 2)

1 GENERIC-ENSMSE - Département Géochimie, environnement, écoulement, réacteurs industriels et cristallisation
2 SPIN-ENSMSE - Centre Sciences des Processus Industriels et Naturels

No english abstract

Ce travail développe une approche globale du problème de l'interface entre une solution électrolytique et un semiconducteur doté d'une densité d'impuretés ionisables élevée (environ 10²º/cm³). L'épaisseur réduite de la zone de charge d'espace, l'influence de la couche d'Helmhotz et l'existence de niveaux profonds sont étudiées. Une expression très générale de la capacité de charge d’espace en présence de niveaux profonds est établie. Cette approche est appliquée au cas de l’oxyde de nickel lithiné Li_xNi_1-xO et conduit à une explication originale du comportement de l’interface.

Mots clés: Electrochimie; oxyde de nickel; NiO; semiconducteurs; capacité de charge d'espace; interface; niveaux profonds; hydratation; couche de Helmholtz

Domaines: Génie des procédés

Jean-Pierre Bigot. L'interface semi-conducteur/solution. Cas des semi-conducteurs à densité d'impuretés ionisables élevée. Application à l'oxyde de nickel lithiné Li_xNi_1-xO. Génie des procédés. Université Montpellier II - Sciences et Techniques du Languedoc, 1987. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-01069887v1⟩