L'interface semi-conducteur/solution. Cas des semi-conducteurs à densité d'impuretés ionisables élevée. Application à l'oxyde de nickel lithiné Li<sub>x</sub>Ni<sub>1-x</sub>O - SPIN / GENERIC : Géochimie, ENvironnement, Ecoulements, Réacteurs Industriels, Cristallisation
Theses Year : 1987

The semiconductor/solution interface. Case of the semiconductors with a high density of ionizable impurities. Application to lithiated nickel oxide

L'interface semi-conducteur/solution. Cas des semi-conducteurs à densité d'impuretés ionisables élevée. Application à l'oxyde de nickel lithiné LixNi1-xO

Abstract

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Ce travail développe une approche globale du problème de l'interface entre une solution électrolytique et un semiconducteur doté d'une densité d'impuretés ionisables élevée (environ 10²º/cm³). L'épaisseur réduite de la zone de charge d'espace, l'influence de la couche d'Helmhotz et l'existence de niveaux profonds sont étudiées. Une expression très générale de la capacité de charge d’espace en présence de niveaux profonds est établie. Cette approche est appliquée au cas de l’oxyde de nickel lithiné LixNi1-xO et conduit à une explication originale du comportement de l’interface.
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Dates and versions

tel-01069887 , version 1 (30-09-2014)
tel-01069887 , version 2 (19-11-2014)

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  • HAL Id : tel-01069887 , version 1

Cite

Jean-Pierre Bigot. L'interface semi-conducteur/solution. Cas des semi-conducteurs à densité d'impuretés ionisables élevée. Application à l'oxyde de nickel lithiné LixNi1-xO. Génie des procédés. Université Montpellier II - Sciences et Techniques du Languedoc, 1987. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-01069887v1⟩
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